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电子元器件详细资料 » IC[26982] » SI1025X-T1-E3
型号:SI1025X-T1-E3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:SOT-563,SOT-666描述:MOSFET P-CH DUAL 60V SOT563F

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET P-CH DUAL 60V SOT563F
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型2 个 P 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)60V
电流_连续漏极(Id)0a025000C190mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C4 欧姆 @ 500mA,10V
Id时的Vgs(th)111最大2223V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs1.7nC @ 15V
输入电容(Ciss)0a0Vds23pF @ 25V
功率_最大250mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563,SOT-666
供应商设备封装SC-89-6
包装Digi-Reel®

供应商

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深圳市科恒伟业电子有限公司李小姐086-0755-82569753-32922817-36561078-801
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SI1025X-T1-E3相关型号

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